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附录 A
  • 第 8 章

    • 总览
    • 8.1. 处理器电源状态
    • 8.2. 刷新缓存
    • 8.3. 电源、性能和节流状态依赖关系
    • 8.4. 声明处理器
      • 8.4.1. _PDC(处理器驱动程序能力)
      • 8.4.2. 处理器电源状态控制
      • 8.4.3. 处理器层次结构
      • 8.4.4. 更低功耗空闲状态
        • 8.4.4.1. 分层空闲状态
        • 8.4.4.2. 空闲状态协调
        • 8.4.4.3. _LPI(低功耗空闲状态)
        • 8.4.4.4. _RDI(空闲的资源依赖)
        • 8.4.4.5. 兼容性
      • 8.4.5. 处理器节流控制
      • 8.4.6. 处理器性能控制
      • 8.4.7. 协作式处理器性能控制
        • 8.4.7.1. _CPC(连续性能控制)
          • 8.4.7.1.1. 性能能力/阈值
          • 8.4.7.1.2. 性能控制
          • 8.4.7.1.3. 性能反馈
          • 8.4.7.1.4. CPPC 启用寄存器
          • 8.4.7.1.5. 自主选择启用寄存器
          • 8.4.7.1.6. 自主活动窗口寄存器
          • 8.4.7.1.7. 能量性能偏好寄存器
          • 8.4.7.1.8. OSPM 控制策略
          • 8.4.7.1.9. 使用 PCC 寄存器
          • 8.4.7.1.10. 与其他由 ACPI 定义的对象和通知的关系
          • 8.4.7.1.11. _CPC 实现示例
      • 8.4.8. _PPE(平台错误轮询)
    • 8.5. 处理器聚合器设备

8.4.7.1.8. OSPM 控制策略

8.4.7.1.8.1. 带内热控制

使用性能控制的处理器可以列在某个热区的 _PSL 列表中。如果列在其中,并且该热区由于超过 _PSV 阈值而启动被动冷却,则 OSPM 将应用 \(\Delta P[%]\) 来修改期望性能寄存器中的值。每当启动被动冷却时,OSPM 还必须将最大性能寄存器设置为等于期望性能寄存器,以强制平台不会机会性地超过期望性能。

注意:在基于片上系统的平台中,若 SoC 除处理器外还由多个设备组件构成,则 OSPM 使用期望寄存器和最大寄存器进行热控制可能不会产生最佳结果,因为存在 SoC 设备交互。如果存在专有的封装级热控制,则使用它们可能会产生更优结果。

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